BLF6G38-10G /T3 datasheet
买卖IC网搜索
IC现货
IC急购
供应
首页
IC现货
IC急购
供应
资讯
展会
生意社区
我的买卖
买卖IC网
>>
产品目录
>> BLF6G38-10G /T3 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G38-10G /T3
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38-10G /T3 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
3.1 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
CDFM
封装
Reel - 13 in
相关资料
属性
链接
代理商
BLF6G38-10G /T3
BLF6G38-10G,112
BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G/T3
BLF6G38-25
BLF6G38-25,112
供应商
公司名
电话
深圳市华诺星科技有限公司
18998911681
陈康
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
0755-23603360
江先生
深圳市博盛源科技有限公司
0755-23984783
朱先生
深圳市湘达电子有限公司
0755-83229772-83202753
朱平
BLF6G38-10G /T3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
BLF6G38-10G /T3 相关型号
BLF6G38-25
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38-50
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38LS-100
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38LS-50
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38S-25
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6H10L-160,112
射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB
BLF6H10LS-160,112
射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB
BLF6H10LS-160,118
射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB
BLF7G15L-200,112
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
BLF7G15L-200,118
射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR